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PSMN6R0-30YL,115

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Hersteller-Teilenummer. : PSMN6R0-30YL,115
RoHS Status :
Hersteller / Marke : Nexperia
Zustand des Lagers : 780 pcs Stock
Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 79A LFPAK56
Liefern von : Hongkong
Datenblätte : PSMN6R0-30YL,115(1).pdfPSMN6R0-30YL,115(2).pdfPSMN6R0-30YL,115(3).pdfPSMN6R0-30YL,115(4).pdf
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Teil-Nr. PSMN6R0-30YL,115
Hersteller Nexperia
Beschreibung MOSFET N-CH 30V 79A LFPAK56
Bleifreier Status / RoHS Status
Verfügbare Menge 780 pcs
Datenblätte PSMN6R0-30YL,115(1).pdfPSMN6R0-30YL,115(2).pdfPSMN6R0-30YL,115(3).pdfPSMN6R0-30YL,115(4).pdf
VGS (th) (Max) @ Id 2.15V @ 1mA
Vgs (Max) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse LFPAK56, Power-SO8
Serie -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 15A, 10V
Verlustleistung (max) 55W (Tc)
Verpackung / Gehäuse SC-100, SOT-669
Paket Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1425 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V
Typ FET N-Channel
FET-Merkmal -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 79A (Tc)
Grundproduktnummer PSMN6R0
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Bankname: HSBC Bank (China) Unternehmen Limited
Swift: HSBCCNSHSZN.
Bank Adresse: 27 / f, China Ressourcen Gebäude, Nr.5001, Shennan Road
Ost, Luohu Bezirk, Shenzhen, China
Region: China.

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