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NTD65N03RT4G

Hersteller-Teilenummer. :	NTD65N03RT4G	RoHS Status :	Bleifrei / RoHS-konform
Hersteller / Marke :	AMI Semiconductor / ON Semiconductor	Zustand des Lagers :	371 pcs Stock
Beschreibung :	MOSFET N-CH 25V 9.5A DPAK	Liefern von :	Hongkong
Datenblätte :	NTD65N03RT4G.pdf	Versandweg :	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

Produktdetails

Eine zuverlässige Quelle für PN NTD65N03RT4G ist von entscheidender Bedeutung. Zum Glück sind Sie an der richtigen Stelle gekommen. , bekannt für seine Zuverlässigkeit und Effizienz in einer Vielzahl von Anwendungen. Dieses spezielle Modell ist ein Grabenmosfet, das überlegene Schaltleistung und Robustheit bietet. Zu den wichtigsten Merkmalen gehören ein niedriger Widerstand auf dem Zustand (RDS (ON)) von 3,7 MOHM bei VGS = 10 V, der die Leitungsverluste erheblich verringert, wodurch sie ideal für hochfrequente Schaltanwendungen ist, bei denen die Energieeffizienz kritisch ist.

Der NTD65N03RT4G wurde mit dem Schutz vor sekundärer Aufschlüsselung entwickelt und eignet sich für die Verwendung in Anwendungen wie DC-DC-Konvertern, synchroner Gleichberechtigung und motorischer Steuerung bei Computing, Unterhaltungselektronik und industriellen Systemen. Das kompakte Toll-3W-Paket ermöglicht eine hohe Leistungsdichte in kleinen Formfaktoren, was es zu einer hervorragenden Wahl für Designer macht, die den Platz optimieren und gleichzeitig eine hohe Leistung aufrechterhalten. Mit seinen überlegenen thermischen Eigenschaften und dem robusten Design sorgt dieses Gerät zuverlässig, auch unter harten Umweltbedingungen. Wir sind jederzeit bei Ihrem Service!

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Teil-Nr.	NTD65N03RT4G
Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 25V 9.5A DPAK
Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	371 pcs
Datenblätte	NTD65N03RT4G.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	DPAK
Serie	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.4 mOhm @ 30A, 10V
Verlustleistung (max)	1.3W (Ta), 50W (Tc)
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1400pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	16nC @ 5V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	25V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 25V 9.5A (Ta), 32A (Tc) 1.3W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount DPAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	9.5A (Ta), 32A (Tc)

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