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NTD65N03RT4

Hersteller-Teilenummer. :	NTD65N03RT4	RoHS Status :	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Hersteller / Marke :	AMI Semiconductor / ON Semiconductor	Zustand des Lagers :	4202 pcs Stock
Beschreibung :	MOSFET N-CH 25V 9.5A DPAK	Liefern von :	Hongkong
Datenblätte :	NTD65N03RT4.pdf	Versandweg :	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

Produktdetails

Wenn Sie eine zuverlässige Quelle für NTD65N03RT4 benötigen, sind Sie am richtigen Ort gekommen! Unser Unternehmen, RX Electronics, ist ein weltweiter Distributor dieser Komponente. Darüber hinaus bieten wir elektronische Komponenten aus verschiedenen bekannten Marken an. Der NTD65N03RT4 von Semiconductor ist ein Hochleistungs-N-Channel-MOSFET, der für die anspruchsvolle Leistungsmanagement- und Schaltanwendungen entwickelt wurde. Dieses Gerät verfügt über eine ultra-niedrige On-Resistenz (RDS (ON)) von 3,2 MΩ bei VGS = 10 V, um minimale Leitungsverluste und eine verbesserte Effizienz zu gewährleisten. Sein robustes Design unterstützt kontinuierliche Abflussströme von bis zu 98 A und arbeitet über einen weiten Temperaturbereich von -55 ° C bis +175 ° C, wodurch es für harte industrielle Umgebungen geeignet ist.

Der NTD65N03RT4 ist für hochfrequente Schaltvorgänge optimiert, wodurch die Schaltverluste reduziert und die Gesamtsystemleistung verbessert werden. Es umfasst auch einen integrierten ESD -Schutz und verbessert die Zuverlässigkeit der sensiblen Elektronik. Das TO-247-Paket bietet eine überlegene thermische Dissipation und unterstützt den zuverlässigen Betrieb unter schweren Lasten. Dieses MOSFET ideal für Anwendungen wie Motorsteuerung, Systeme für erneuerbare Energien und Automobilelektronik bietet eine außergewöhnliche Leistung und Haltbarkeit. Wenden Sie sich an unser Verkaufsteam unter info@rxelectronics.com, um weitere Informationen und Details zu erhalten. Wir sind jederzeit bei Ihrem Service!

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Teil-Nr.	NTD65N03RT4
Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 25V 9.5A DPAK
Bleifreier Status / RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Verfügbare Menge	4202 pcs
Datenblätte	NTD65N03RT4.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	DPAK
Serie	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.4 mOhm @ 30A, 10V
Verlustleistung (max)	1.3W (Ta), 50W (Tc)
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1400pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	16nC @ 5V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	25V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 25V 9.5A (Ta), 32A (Tc) 1.3W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount DPAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	9.5A (Ta), 32A (Tc)

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A / C #: 002-505139-055
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Ost, Luohu Bezirk, Shenzhen, China
Region: China.

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