Hersteller-Teilenummer. : | W9425G6EH-5 | RoHS Status : | Bleifrei / RoHS-konform |
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Hersteller / Marke : | Winbond Electronics Corporation | Zustand des Lagers : | 2240 pcs Stock |
Beschreibung : | IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II | Liefern von : | Hongkong |
Datenblätte : | W9425G6EH-5.pdf | Versandweg : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Teil-Nr. | W9425G6EH-5 |
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Hersteller | Winbond Electronics Corporation |
Beschreibung | IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II |
Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Verfügbare Menge | 2240 pcs |
Datenblätte | W9425G6EH-5.pdf |
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | 15ns |
Spannungsversorgung | 2.3 V ~ 2.7 V |
Technologie | SDRAM - DDR |
Supplier Device-Gehäuse | 66-TSOP II |
Serie | - |
Verpackung | Tray |
Verpackung / Gehäuse | 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 3 (168 Hours) |
Speichertyp | Volatile |
Speichergröße | 256Mb (16M x 16) |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Speicherformat | DRAM |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
detaillierte Beschreibung | SDRAM - DDR Memory IC 256Mb (16M x 16) Parallel 250MHz 55ns 66-TSOP II |
Uhrfrequenz | 250MHz |
Zugriffszeit | 55ns |
IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA
IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II
IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II
IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA
IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA
IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II
IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II
IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA
IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II
IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II