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SISS98DN-T1-GE3

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Hersteller-Teilenummer. : SISS98DN-T1-GE3
RoHS Status :
Hersteller / Marke : Vishay / Siliconix
Zustand des Lagers : 901 pcs Stock
Beschreibung : MOSFET N-CH 200V 14.1A PPAK
Liefern von : Hongkong
Datenblätte : SISS98DN-T1-GE3.pdf
Versandweg : DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Teil-Nr. SISS98DN-T1-GE3
Hersteller Vishay / Siliconix
Beschreibung MOSFET N-CH 200V 14.1A PPAK
Bleifreier Status / RoHS Status
Verfügbare Menge 901 pcs
Datenblätte SISS98DN-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® 1212-8
Serie ThunderFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 105mOhm @ 7A, 10V
Verlustleistung (max) 57W (Tc)
Verpackung / Gehäuse PowerPAK® 1212-8
Paket Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 608 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 7.5 V
Typ FET N-Channel
FET-Merkmal -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 7.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14.1A (Tc)
Grundproduktnummer SISS98
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Region: China.

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