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SISS05DN-T1-GE3

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Hersteller-Teilenummer. : SISS05DN-T1-GE3
RoHS Status :
Hersteller / Marke : Vishay / Siliconix
Zustand des Lagers : -
Beschreibung : MOSFET P-CH 30V 29.4A/108A PPAK
Liefern von : Hongkong
Datenblätte : SISS05DN-T1-GE3.pdf
Versandweg : DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Teil-Nr. SISS05DN-T1-GE3
Hersteller Vishay / Siliconix
Beschreibung MOSFET P-CH 30V 29.4A/108A PPAK
Bleifreier Status / RoHS Status
Verfügbare Menge Auf Lager
Datenblätte SISS05DN-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Vgs (Max) +16V, -20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® 1212-8S
Serie TrenchFET® Gen IV
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5mOhm @ 10A, 10V
Verlustleistung (max) 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Verpackung / Gehäuse PowerPAK® 1212-8S
Paket Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4930 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 115 nC @ 10 V
Typ FET P-Channel
FET-Merkmal -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 29.4A (Ta), 108A (Tc)
Grundproduktnummer SISS05
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Swift: HSBCCNSHSZN.
Bank Adresse: 27 / f, China Ressourcen Gebäude, Nr.5001, Shennan Road
Ost, Luohu Bezirk, Shenzhen, China
Region: China.

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