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SIA814DJ-T1-GE3

Hersteller-Teilenummer. : SIA814DJ-T1-GE3 RoHS Status :
Hersteller / Marke : Vishay / Siliconix Zustand des Lagers : -
Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 4.5A PPAK SC70-6 Liefern von : Hongkong
Datenblätte : SIA814DJ-T1-GE3(1).pdfSIA814DJ-T1-GE3(2).pdfSIA814DJ-T1-GE3(3).pdf Versandweg : DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Teil-Nr. SIA814DJ-T1-GE3
Hersteller Vishay / Siliconix
Beschreibung MOSFET N-CH 30V 4.5A PPAK SC70-6
Bleifreier Status / RoHS Status
Verfügbare Menge Auf Lager
Datenblätte SIA814DJ-T1-GE3(1).pdfSIA814DJ-T1-GE3(2).pdfSIA814DJ-T1-GE3(3).pdf
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±12V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® SC-70-6 Dual
Serie LITTLE FOOT®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 61mOhm @ 3.3A, 10V
Verlustleistung (max) 1.9W (Ta), 6.5W (Tc)
Verpackung / Gehäuse PowerPAK® SC-70-6 Dual
Paket Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 340 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 10 V
Typ FET N-Channel
FET-Merkmal Schottky Diode (Isolated)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.5A (Tc)
Grundproduktnummer SIA814
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Swift: HSBCCNSHSZN.
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Ost, Luohu Bezirk, Shenzhen, China
Region: China.

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