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SIA415DJ-T1-GE3

Hersteller-Teilenummer. : SIA415DJ-T1-GE3 RoHS Status :
Hersteller / Marke : Vishay / Siliconix Zustand des Lagers : -
Beschreibung : MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6 Liefern von : Hongkong
Datenblätte : SIA415DJ-T1-GE3(1).pdfSIA415DJ-T1-GE3(2).pdf Versandweg : DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Teil-Nr. SIA415DJ-T1-GE3
Hersteller Vishay / Siliconix
Beschreibung MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Bleifreier Status / RoHS Status
Verfügbare Menge Auf Lager
Datenblätte SIA415DJ-T1-GE3(1).pdfSIA415DJ-T1-GE3(2).pdf
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±12V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® SC-70-6
Serie TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 5.6A, 4.5V
Verlustleistung (max) 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Verpackung / Gehäuse PowerPAK® SC-70-6
Paket Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1250 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 47 nC @ 10 V
Typ FET P-Channel
FET-Merkmal -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A (Tc)
Grundproduktnummer SIA415
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Swift: HSBCCNSHSZN.
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Ost, Luohu Bezirk, Shenzhen, China
Region: China.

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