ZuhauseProdukteIntegrierte schaltkreise (ICS)MemoryMT46V64M8BN-5B:D TR
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MT46V64M8BN-5B:D TR

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Hersteller-Teilenummer. : MT46V64M8BN-5B:D TR
RoHS Status : Bleifrei / RoHS-konform
Hersteller / Marke : Micron Technology
Zustand des Lagers : 1474 pcs Stock
Beschreibung : IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
Liefern von : Hongkong
Datenblätte :
Versandweg : DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Es ist von größter Bedeutung, eine zuverlässige Quelle für den PN MT46V64M8BN-5B: D Tr zu finden, zum Glück sind Sie an der richtigen Stelle gekommen. Sie erhalten alle Teile in einem neuen und ursprünglichen Zustand bei RX Electronics. TR ist ein fortschrittlicher DRAM -Chip, der von Micron Technology Inc. hergestellt wurde, einem weltweit führenden Anbieter von Halbleiterlösungen. Dieses 64mx8-Bit-DDR2-SDRAM (Doppeldatenrate Second Synchronous Dynamic Random-Access Memory) arbeitet mit einer Standardspannung von 1,8 V, um einen geringen Stromverbrauch zu gewährleisten. Es verfügt über eine Hochgeschwindigkeitsdatenübertragungsrate von 533 Mbit / s (PC2-4200), wodurch die Datenübertragungseffizienz im Vergleich zu DDR verdoppelt wird. Das Gerät wird in einem 78-pin-TFBGA-Paket ausgestattet, das für Kompaktheit und verbesserte thermische Leistung ausgelegt ist.

Der MT46V64M8BN-5B: D TR ist hauptsächlich in einer Vielzahl von Anwendungen eingesetzt und ist ideal für Desktops, Laptops, Arbeitsstationen, Server und andere Systeme, die hohe Speicherkapazität und -geschwindigkeit fordern. Sein robustes Design, die Fehlerkorrekturfunktionen und die zuverlässige Leistung machen es zu einer bevorzugten Wahl für Systemarchitekten, die optimale Speicherlösungen suchen. Mit seinen außergewöhnlichen Spezifikationen und dem Ruf von Micron für Qualität garantiert dieser Chip eine überlegene Leistung und Stabilität in modernen Computerplattform. Wir sind jederzeit bei Ihrem Service!
Teil-Nr. MT46V64M8BN-5B:D TR
Hersteller Micron Technology
Beschreibung IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 1474 pcs
Datenblätte
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite 15ns
Spannungsversorgung 2.5 V ~ 2.7 V
Technologie SDRAM - DDR
Supplier Device-Gehäuse 60-FBGA (10x12.5)
Serie -
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 60-TFBGA
Andere Namen MT46V64M8BN-5B:D TR-ND
MT46V64M8BN-5B:DTR
Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 5 (48 Hours)
Speichertyp Volatile
Speichergröße 512Mb (64M x 8)
Speicherschnittstelle Parallel
Speicherformat DRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung SDRAM - DDR Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 200MHz 700ps 60-FBGA (10x12.5)
Uhrfrequenz 200MHz
Basisteilenummer MT46V64M8
Zugriffszeit 700ps
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Name des Begünstigten: RX Electronics Limited
A / C #: 002-505139-055
Bankname: HSBC Bank (China) Unternehmen Limited
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Bank Adresse: 27 / f, China Ressourcen Gebäude, Nr.5001, Shennan Road
Ost, Luohu Bezirk, Shenzhen, China
Region: China.

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