Hersteller-Teilenummer. : | IS46R16320E-5BLA1 | RoHS Status : | Bleifrei / RoHS-konform |
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Hersteller / Marke : | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) | Zustand des Lagers : | 2285 pcs Stock |
Beschreibung : | IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ | Liefern von : | Hongkong |
Datenblätte : | IS46R16320E-5BLA1.pdf | Versandweg : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Teil-Nr. | IS46R16320E-5BLA1 |
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Hersteller | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
Beschreibung | IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ |
Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Verfügbare Menge | 2285 pcs |
Datenblätte | IS46R16320E-5BLA1.pdf |
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | 15ns |
Spannungsversorgung | 2.3 V ~ 2.7 V |
Technologie | SDRAM - DDR |
Supplier Device-Gehäuse | 60-TFBGA (8x13) |
Serie | - |
Verpackung | Tray |
Verpackung / Gehäuse | 60-TFBGA |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 3 (168 Hours) |
Speichertyp | Volatile |
Speichergröße | 512Mb (32M x 16) |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Speicherformat | DRAM |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
detaillierte Beschreibung | SDRAM - DDR Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 200MHz 700ps 60-TFBGA (8x13) |
Uhrfrequenz | 200MHz |
Zugriffszeit | 700ps |
IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II
IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II
IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II
IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ
IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA
IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ
IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ
IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ
IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II
IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ