Hersteller-Teilenummer. : | IS42S32800G-6BI | RoHS Status : | Enthält Blei / RoHS nicht konform |
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Hersteller / Marke : | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) | Zustand des Lagers : | 2465 pcs Stock |
Beschreibung : | IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA | Liefern von : | Hongkong |
Datenblätte : | IS42S32800G-6BI.pdf | Versandweg : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Teil-Nr. | IS42S32800G-6BI |
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Hersteller | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
Beschreibung | IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA |
Bleifreier Status / RoHS Status | Enthält Blei / RoHS nicht konform |
Verfügbare Menge | 2465 pcs |
Datenblätte | IS42S32800G-6BI.pdf |
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | - |
Spannungsversorgung | 3 V ~ 3.6 V |
Technologie | SDRAM |
Supplier Device-Gehäuse | 90-TFBGA (8x13) |
Serie | - |
Verpackung | Tray |
Verpackung / Gehäuse | 90-TFBGA |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 3 (168 Hours) |
Speichertyp | Volatile |
Speichergröße | 256Mb (8M x 32) |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Speicherformat | DRAM |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
detaillierte Beschreibung | SDRAM Memory IC 256Mb (8M x 32) Parallel 166MHz 5.4ns 90-TFBGA (8x13) |
Uhrfrequenz | 166MHz |
Zugriffszeit | 5.4ns |
IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA
IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA
IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II
IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II
IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II
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IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA
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