Hersteller-Teilenummer. : | SIR470DP-T1-GE3 |
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RoHS Status : | Bleifrei / RoHS-konform |
Hersteller / Marke : | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Zustand des Lagers : | 4729 pcs Stock |
Beschreibung : | MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 |
Liefern von : | Hongkong |
Datenblätte : | SIR470DP-T1-GE3.pdf |
Versandweg : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Teil-Nr. | SIR470DP-T1-GE3 |
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Hersteller | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Beschreibung | MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 |
Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Verfügbare Menge | 4729 pcs |
Datenblätte | SIR470DP-T1-GE3.pdf |
VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PowerPAK® SO-8 |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3 mOhm @ 20A, 10V |
Verlustleistung (max) | 6.25W (Ta), 104W (Tc) |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | PowerPAK® SO-8 |
Andere Namen | SIR470DP-T1-GE3TR SIR470DPT1GE3 |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 27 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5660pF @ 20V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 155nC @ 10V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40V |
detaillierte Beschreibung | N-Channel 40V 60A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 60A (Tc) |
MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
MOSFET N-CH 30V 18A PPAK SO-8
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8