Hersteller-Teilenummer. : | SI7922DN-T1-E3 |
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RoHS Status : | Bleifrei / RoHS-konform |
Hersteller / Marke : | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Zustand des Lagers : | 6470 pcs Stock |
Beschreibung : | MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8 |
Liefern von : | Hongkong |
Datenblätte : | SI7922DN-T1-E3.pdf |
Versandweg : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Teil-Nr. | SI7922DN-T1-E3 |
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Hersteller | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Beschreibung | MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8 |
Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Verfügbare Menge | 6470 pcs |
Datenblätte | SI7922DN-T1-E3.pdf |
VGS (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Supplier Device-Gehäuse | PowerPAK® 1212-8 Dual |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 195 mOhm @ 2.5A, 10V |
Leistung - max | 1.3W |
Verpackung | Cut Tape (CT) |
Verpackung / Gehäuse | PowerPAK® 1212-8 Dual |
Andere Namen | SI7922DN-T1-E3CT |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8nC @ 10V |
Typ FET | 2 N-Channel (Dual) |
FET-Merkmal | Logic Level Gate |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
detaillierte Beschreibung | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 1.8A 1.3W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 1.8A |
Basisteilenummer | SI7922 |
MOSFET 2P-CH 20V 5A PPAK 1212-8
MOSFET 2N-CH 40V 60A PPAK SO-8
MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8
MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8
MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 1212-8
MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8
MOSFET 2P-CH 20V 5A 1212-8
MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8
MOSFET 2P-CH 30V 4.3A 1212-8
MOSFET 2P-CH 30V 4.3A 1212-8