Hersteller-Teilenummer. : | SI4668DY-T1-GE3 | RoHS Status : | Bleifrei / RoHS-konform |
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Hersteller / Marke : | Electro-Films (EFI) / Vishay | Zustand des Lagers : | 22508 pcs Stock |
Beschreibung : | MOSFET N-CH 25V 16.2A 8-SOIC | Liefern von : | Hongkong |
Datenblätte : | SI4668DY-T1-GE3.pdf | Versandweg : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Teil-Nr. | SI4668DY-T1-GE3 |
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Hersteller | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Beschreibung | MOSFET N-CH 25V 16.2A 8-SOIC |
Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Verfügbare Menge | 22508 pcs |
Datenblätte | SI4668DY-T1-GE3.pdf |
VGS (th) (Max) @ Id | 2.6V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±16V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 8-SO |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.5 mOhm @ 15A, 10V |
Verlustleistung (max) | 2.5W (Ta), 5W (Tc) |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Andere Namen | SI4668DY-T1-GE3TR SI4668DYT1GE3 |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 21 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1654pF @ 15V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42nC @ 10V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 25V |
detaillierte Beschreibung | N-Channel 25V 16.2A (Tc) 2.5W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SO |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 16.2A (Tc) |
MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC
IC RADIO RX ANLG/DGTL 48QFN
MOSFET N-CH 25V 28.6A 8-SOIC
MOSFET N-CH 25V 23.1A 8-SOIC
IC RADIO RX ANLG/DGTL 62WLCSP
MOSFET N-CH 25V 23.1A 8-SOIC
MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC
MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC
MOSFET N-CH 25V 16.5A 8-SOIC
IC RADIO RX ANLG/DGTL 48QFN