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IRFZ14SPBF

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Hersteller-Teilenummer. : IRFZ14SPBF
RoHS Status : Bleifrei / RoHS-konform
Hersteller / Marke : Electro-Films (EFI) / Vishay
Zustand des Lagers : 17508 pcs Stock
Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
Liefern von : Hongkong
Datenblätte : IRFZ14SPBF.pdf
Versandweg : DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Die Suche nach einer zuverlässigen Quelle für PN IRFZ14SPBF ist entscheidend. Zum Glück sind Sie bei RX Electronics eine authentische und zuverlässige Produktquelle erhalten. Die IRFZ14SPBF von Vishay Siliconix ist ein fortgeschrittenes N-Channel-MOSFET, das für hochwirksame Schaltanwendungen entwickelt wurde. Dieses Gerät verfügt über einen niedrigen Widerstand des Zustands (RDS (ON)) von 0,065 Ω bei VGS = 10 V, um einen minimalen Stromverlust und eine verbesserte Systemleistung zu gewährleisten. Es befindet sich in einem kompakten TO-220-Paket und unterstützt Drain-Source-Spannungen von bis zu 55 V und kontinuierlichen Abflussströmen bis zu 18a, was es ideal für Stromversorgungen, Motorsteuerung und Automobilelektronik ist. Der IRFZ14SPBF bietet eine hervorragende thermische Stabilität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten und verringert den Energieverbrauch in hochfrequenten Schaltungen. Das robuste Design sorgt für einen zuverlässigen Betrieb über einen weiten Temperaturbereich (-55 ° C bis +175 ° C). Mit überlegenen Merkmalen von Lawinen und Robustheit bietet dieses MOSFET eine dauerhafte Leistung bei der anspruchsvollen Industrie- und Verbraucheranwendungen. Es entspricht auch den ROHS -Compliance -Standards und stellt die Sicherheit von Umwelt sicher. Bitte kontaktieren Sie unser Verkaufsteam unter info@rxelectronics.com nach Ihren Wünschen. Wir sind zuversichtlich, dass unser Team Sie nicht enttäuschen wird. Vielen Dank, dass Sie RX Electronics in Betracht gezogen haben.
Teil-Nr. IRFZ14SPBF
Hersteller Electro-Films (EFI) / Vishay
Beschreibung MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 17508 pcs
Datenblätte IRFZ14SPBF.pdf
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse D2PAK
Serie -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200 mOhm @ 6A, 10V
Verlustleistung (max) 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Verpackung Tube
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere Namen IRFZ14SPBFCT
IRFZ14SPBFCT-ND
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 18 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 300pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 10V
Typ FET N-Channel
FET-Merkmal -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V
detaillierte Beschreibung N-Channel 60V 10A (Tc) 3.7W (Ta), 43W (Tc) Surface Mount D2PAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10A (Tc)
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Region: China.

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