Hersteller-Teilenummer. : | NSBC114EPDP6T5G |
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RoHS Status : | Bleifrei / RoHS-konform |
Hersteller / Marke : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Zustand des Lagers : | 350 pcs Stock |
Beschreibung : | TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT963 |
Liefern von : | Hongkong |
Datenblätte : | NSBC114EPDP6T5G.pdf |
Versandweg : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Teil-Nr. | NSBC114EPDP6T5G |
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Hersteller | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Beschreibung | TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT963 |
Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Verfügbare Menge | 350 pcs |
Datenblätte | NSBC114EPDP6T5G.pdf |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Transistor-Typ | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Supplier Device-Gehäuse | SOT-963 |
Serie | - |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 10 kOhms |
Widerstand - Basis (R1) | 10 kOhms |
Leistung - max | 339mW |
Verpackung | Cut Tape (CT) |
Verpackung / Gehäuse | SOT-963 |
Andere Namen | NSBC114EPDP6T5GOSCT |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 2 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang | - |
detaillierte Beschreibung | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 339mW Surface Mount SOT-963 |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 35 @ 5mA, 10V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100mA |
Basisteilenummer | NSBC1* |
TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT1123
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
TRANS 2NPN PREBIAS 0.408W SOT963