Hersteller-Teilenummer. : | FQA160N08 |
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RoHS Status : | Bleifrei / RoHS-konform |
Hersteller / Marke : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Zustand des Lagers : | 800 pcs Stock |
Beschreibung : | MOSFET N-CH 80V 160A TO-3P |
Liefern von : | Hongkong |
Datenblätte : | FQA160N08.pdf |
Versandweg : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Teil-Nr. | FQA160N08 |
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Hersteller | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Beschreibung | MOSFET N-CH 80V 160A TO-3P |
Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Verfügbare Menge | 800 pcs |
Datenblätte | FQA160N08.pdf |
VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±25V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-3PN |
Serie | QFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7 mOhm @ 80A, 10V |
Verlustleistung (max) | 375W (Tc) |
Verpackung | Tube |
Verpackung / Gehäuse | TO-3P-3, SC-65-3 |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 7900pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 290nC @ 10V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 80V |
detaillierte Beschreibung | N-Channel 80V 160A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-3PN |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 160A (Tc) |
MOSFET N-CH 250V 17.8A TO-3P
MOSFET N-CH 100V 140A TO-3P
MOSFET N-CH 60V 170A TO-3P
MOSFET N-CH 400V 17.2A TO-3P
MOSFET N-CH 800V 12.6A TO-3P
MOSFET N-CH 500V 15A TO-3P
MOSFET N-CH 800V 12.6A TO-3P
MOSFET N-CH 500V 16A
MOSFET N-CH 300V 15A TO-3P
MOSFET N-CH 500V 16A TO-3P