Hersteller-Teilenummer. : | SSM6N57NU,LF | RoHS Status : | Bleifrei / RoHS-konform |
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Hersteller / Marke : | Toshiba Semiconductor and Storage | Zustand des Lagers : | 684 pcs Stock |
Beschreibung : | MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6 | Liefern von : | Hongkong |
Datenblätte : | SSM6N57NU,LF.pdf | Versandweg : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Teil-Nr. | SSM6N57NU,LF |
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Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
Beschreibung | MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6 |
Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Verfügbare Menge | 684 pcs |
Datenblätte | SSM6N57NU,LF.pdf |
VGS (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Supplier Device-Gehäuse | 6-µDFN(2x2) |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 46 mOhm @ 2A, 4.5V |
Leistung - max | 1W |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | 6-WDFN Exposed Pad |
Andere Namen | SSM6N57NU,LF(B SSM6N57NU,LF(T SSM6N57NULF SSM6N57NULF(TTR SSM6N57NULF(TTR-ND SSM6N57NULFTR |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 310pF @ 10V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4nC @ 4.5V |
Typ FET | 2 N-Channel (Dual) |
FET-Merkmal | Standard |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
detaillierte Beschreibung | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4A 1W Surface Mount 6-µDFN(2x2) |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 4A |
MOSFET 2N-CH 20V 4A UDFN
MOSFET N-CH 30V 9A UDFN6B
MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6
MOSFET P-CH 20V 0.1A ES6
MOSFET 2P-CH 20V 0.33A ES6
MOSFET N/P-CH 20V 4A UDFN6
MOSFET 2P-CH 30V 0.1A ES6
MOSFET NCH 30V 15A UDFNB
MOSFET N/P-CH 20V 0.5A/0.33A ES6
MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6