Hersteller-Teilenummer. : | STH140N6F7-2 | RoHS Status : | Bleifrei / RoHS-konform |
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Hersteller / Marke : | STMicroelectronics | Zustand des Lagers : | 1250 pcs Stock |
Beschreibung : | MOSFET N-CH 60V 80A H2PAK-2 | Liefern von : | Hongkong |
Datenblätte : | STH140N6F7-2.pdf | Versandweg : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Teil-Nr. | STH140N6F7-2 |
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Hersteller | STMicroelectronics |
Beschreibung | MOSFET N-CH 60V 80A H2PAK-2 |
Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Verfügbare Menge | 1250 pcs |
Datenblätte | STH140N6F7-2.pdf |
VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | H2Pak-2 |
Serie | DeepGATE™, STripFET™ VII |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 mOhm @ 40A, 10V |
Verlustleistung (max) | 158W (Tc) |
Verpackung | Cut Tape (CT) |
Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Andere Namen | 497-16314-1 |
Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 38 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2700pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V |
detaillierte Beschreibung | N-Channel 60V 80A (Tc) 158W (Tc) Surface Mount H2Pak-2 |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 80A (Tc) |
MOSFET N-CH 500V 10.5A ISOWAT218
TRANS NPN 400V 12A TO-220
MOSFET N-CH 80V 110A H2PAK-2
N-CHANNEL 60 V, 0.0028 OHM TYP.,
MOSFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2
MOSFET N-CH 80V 90A H2PAK-2
MOSFET
MOSFET N-CH 100V 90A H2PAK-2
MOSFET N-CH 80V 90A
MOSFET N-CH 100V 120A H2PAK-2