Hersteller-Teilenummer. : | RF5110GTR7 |
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RoHS Status : | Bleifrei / RoHS-konform |
Hersteller / Marke : | RFMD |
Zustand des Lagers : | 6682 pcs Stock |
Beschreibung : | IC GSM POWER AMP 3V 16-QFN |
Liefern von : | Hongkong |
Datenblätte : | RF5110GTR7.pdf |
Versandweg : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Teil-Nr. | RF5110GTR7 |
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Hersteller | RFMD |
Beschreibung | IC GSM POWER AMP 3V 16-QFN |
Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Verfügbare Menge | 6682 pcs |
Datenblätte | RF5110GTR7.pdf |
Spannung - Durchschlag | 16-QFN (3x3) |
Testfrequenz | GSM, GPRS |
Gehäuseausführung | 2.7 V ~ 4.8 V |
Serie | - |
RoHS Status | Tape & Reel (TR) |
HF-Typ | - |
Polarisation | 16-VFQFN Exposed Pad |
Andere Namen | 5110G 689-1030-2 |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 2 (1 Year) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 12 Weeks |
Hersteller-Teilenummer | RF5110GTR7 |
Frequenzgruppe | - |
Frequenz | 800MHz ~ 950MHz |
Typ FET | 32dB |
Expanded Beschreibung | RF Amplifier IC GSM, GPRS 800MHz ~ 950MHz 16-QFN (3x3) |
Beschreibung | IC GSM POWER AMP 3V 16-QFN |
Strom - Test | - |
Strom - Versorgung | 15mA ~ 335mA |
DIODE GEN PURP 200V 5A TO252
IC AMP ISM 0HZ-1GHZ 85 MIL MICRO
DIODE GEN PURP 600V 5A CPD
SUPER FAST RECOVERY DIODES
DIODE GEN PURP 200V 5A CPD
IC AMP 802.11B/G/N 2.4GHZ 8QFN
DIODE GEN PURP 200V 5A 8TSOP
IC RF AMP DBS 20GHZ-32GHZ 8SMD
DIODE GEN PURP 600V 5A TO220NFM
IC RF AMP WLL 3GHZ-4GHZ 8MSOP