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PRF13750HR9

Hersteller-Teilenummer. : PRF13750HR9 RoHS Status :
Hersteller / Marke : NXP Semiconductors / Freescale Zustand des Lagers : 78 pcs Stock
Beschreibung : RF FET 915MHZ 750W Liefern von : Hongkong
Datenblätte : PRF13750HR9.pdf Versandweg : DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Wenn Sie eine zuverlässige Quelle für PRF13750HR9 benötigen, sind Sie am richtigen Ort gekommen! Unser Unternehmen, RX Electronics, ist ein weltweiter Distributor dieser Komponente. Darüber hinaus bieten wir elektronische Komponenten aus verschiedenen bekannten Marken an. Der von NXP USA Inc. hergestellte PRF13750HR9 ist ein Hochleistungs-RF-Transistor (Funkfrequenz) für Anwendungen, die eine robuste und effiziente Leistungsverstärkung erfordern. Dieses Gerät arbeitet optimal innerhalb des Frequenzbereichs von 0,4 bis 4 GHz, was es ideal für die Verwendung in drahtlosen Infrastruktur, Breitbandkommunikation und Radarsystemen macht. Der PRF13750HR9 sorgt für eine kontinuierliche Wellenleistung mit einer kontinuierlichen Wellenleistung und sorgt auch unter anspruchsvollen Bedingungen zuverlässige Leistung. Sein kompaktes Design und die hohen Linearitätseigenschaften machen es zu einer bevorzugten Wahl für Designer, die die Effizienz maximieren und den Fußabdruck in ihren RF -Designs minimieren. Die überlegene Verstärkung und der niedrige Rauscharzt des PRF13750HR9 tragen zu einer verbesserten Signalqualität bei und positionieren sie als führende Lösung im Markt für RF -Stromverstärker Sie werden Ihnen innerhalb von 24 Stunden Preis und Lieferung zur Verfügung stellen, wir freuen uns aufrichtig darauf, mit Ihnen zusammenzuarbeiten.
Teil-Nr. PRF13750HR9
Hersteller NXP Semiconductors / Freescale
Beschreibung RF FET 915MHZ 750W
Bleifreier Status / RoHS Status
Verfügbare Menge 78 pcs
Datenblätte PRF13750HR9.pdf
Spannung - Nennwert 105V
Transistor-Typ LDMOS (Dual)
Supplier Device-Gehäuse NI-1230-4H
Serie -
Leistung 650W
Verpackung Strip
Verpackung / Gehäuse SOT-979A
Andere Namen 568-13415
Rauschmaß -
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Gewinnen 20.6dB
Frequenz 700MHz ~ 1.3GHz
detaillierte Beschreibung RF Mosfet LDMOS (Dual) 700MHz ~ 1.3GHz 20.6dB 650W NI-1230-4H
Aktuelle Bewertung 10µA
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Bankname: HSBC Bank (China) Unternehmen Limited
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Ost, Luohu Bezirk, Shenzhen, China
Region: China.

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