Hersteller-Teilenummer. : | JANS2N2222A | RoHS Status : | Enthält Blei / RoHS nicht konform |
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Hersteller / Marke : | Microsemi | Zustand des Lagers : | 400 pcs Stock |
Beschreibung : | TRANS NPN 50V 0.8A TO-18 | Liefern von : | Hongkong |
Datenblätte : | JANS2N2222A.pdf | Versandweg : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Teil-Nr. | JANS2N2222A |
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Hersteller | Microsemi |
Beschreibung | TRANS NPN 50V 0.8A TO-18 |
Bleifreier Status / RoHS Status | Enthält Blei / RoHS nicht konform |
Verfügbare Menge | 400 pcs |
Datenblätte | JANS2N2222A.pdf |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 50mA, 500mA |
Transistor-Typ | NPN |
Supplier Device-Gehäuse | TO-18 (TO-206AA) |
Serie | Military, MIL-PRF-19500/255 |
Leistung - max | 500mW |
Verpackung | Bulk |
Verpackung / Gehäuse | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
Andere Namen | 1086-15156 1086-15156-MIL |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 33 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
Frequenz - Übergang | - |
detaillierte Beschreibung | Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 800mA 500mW Through Hole TO-18 (TO-206AA) |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 100 @ 150mA, 10V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 50nA |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 800mA |
OPTOISO 1KV TRANS W/BASE TO78-6
DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35
TRANS NPN 170V 10A TO5
DIODE GEN PURP 75V 200MA DO213AA
DIODE ZENER 68V 500MW DO213AA
DIODE ZENER 68V 500MW DO213AA
DIODE GEN PURP 150V 1A AXIAL
DIODE GEN PURP 125V 150MA DO213
MOSFET N-CH 100V 1.69A TO-205AF
DIODE GEN PURP 150V 1A D5A