| Hersteller-Teilenummer. : | JAN2N6766T1 | RoHS Status : | RoHS nicht konform |
|---|---|---|---|
| Hersteller / Marke : | Microsemi | Zustand des Lagers : | - |
| Beschreibung : | MOSFET N-CH 200V 30A TO254AA | Liefern von : | Hongkong |
| Datenblätte : | JAN2N6766T1(1).pdfJAN2N6766T1(2).pdfJAN2N6766T1(3).pdfJAN2N6766T1(4).pdfJAN2N6766T1(5).pdf | Versandweg : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| Teil-Nr. | JAN2N6766T1 |
|---|---|
| Hersteller | Microsemi |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 200V 30A TO254AA |
| Bleifreier Status / RoHS Status | RoHS nicht konform |
| Verfügbare Menge | Auf Lager |
| Datenblätte | JAN2N6766T1(1).pdfJAN2N6766T1(2).pdfJAN2N6766T1(3).pdfJAN2N6766T1(4).pdfJAN2N6766T1(5).pdf |
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-254AA |
| Serie | Military, MIL-PRF-19500/543 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 30A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 4W (Ta), 150W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) |
| Paket | Bulk |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 115 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 200 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 30A (Tc) |








MOSFET N-CH 200V 30A TO3

MOSFET N-CH 500V 12A TO204AE

MOSFET N-CH 500V 4.5A TO204AA

MOSFET N-CH 500V 12A TO254AA

MOSFET N-CH 400V 14A TO204AE

MOSFET N-CH 400V 5.5A TO204AA

MOSFET N-CH 100V 3.5A TO39

MOSFET N-CH 400V 14A TO254AA

MOSFET N-CH 100V 38A TO254AA

MOSFET N-CH 100V 38A TO204AE