Hersteller-Teilenummer. : | APT5518BFLLG | RoHS Status : | Bleifrei / RoHS-konform |
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Hersteller / Marke : | Microsemi | Zustand des Lagers : | 4775 pcs Stock |
Beschreibung : | MOSFET N-CH 550V 31A TO-247 | Liefern von : | Hongkong |
Datenblätte : | APT5518BFLLG.pdf | Versandweg : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Teil-Nr. | APT5518BFLLG |
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Hersteller | Microsemi |
Beschreibung | MOSFET N-CH 550V 31A TO-247 |
Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Verfügbare Menge | 4775 pcs |
Datenblätte | APT5518BFLLG.pdf |
VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Vgs (Max) | ±30V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-247-3 |
Serie | POWER MOS 7® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 15.5A, 10V |
Verlustleistung (max) | 403W (Tc) |
Verpackung | Tube |
Verpackung / Gehäuse | TO-247-3 |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3286pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 67nC @ 10V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 550V |
detaillierte Beschreibung | N-Channel 550V 31A (Tc) 403W (Tc) Through Hole TO-247-3 |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 31A (Tc) |
IGBT 600V 150A 625W TMAX
DIODE GEN PURP 1KV 60A TO247
IGBT 600V 107A 366W TO247
IGBT 600V 110A 446W TO247
MOSFET N-CH 500V 56A TO-264
MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD
IGBT 600V 107A 366W TO247
DIODE ARRAY GP 1000V 60A TO264
MOSFET N-CH 600V 23A TO247AD
IGBT 600V 110A 446W TO247