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MT29F1G08ABBFAM78A3WC1

Hersteller-Teilenummer. :	MT29F1G08ABBFAM78A3WC1	RoHS Status :	Bleifrei / RoHS-konform
Hersteller / Marke :	Micron Technology	Zustand des Lagers :	6924 pcs Stock
Beschreibung :	IC FLASH 1G PARALLEL WAFER	Liefern von :	Hongkong
Datenblätte :		Versandweg :	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

Produktdetails

Als effizienter und erfahrener Hybridelektronikverteiler bietet unser Unternehmen - RX Electronics - eine enorme Auswahl hochwertiger elektronischer Komponenten. Der MT29F1G08ABBFAM78A3WC1 von Micron Technology Inc. ist ein 1 Gigabit NAND -Flash -Speichergerät, organisiert als 128m x 8 Bits. Dieser IC arbeitet mit einer 3,3-V-Versorgungsspannung und verfügt über eine Hochgeschwindigkeits-8-Bit-Datenbusschnittstelle. Es unterstützt Standard -NAND -Flash -Befehle und ist für zuverlässige Datenspeicher in verschiedenen Anwendungen ausgelegt. Der Chip bietet schnelle Lesen und Schreibgeschwindigkeiten und verbessert die Leistung in Geräten wie Solid-State-Laufwerken, Digitalkameras und mobile Geräte. Sein kleiner Formfaktor und der geringe Stromverbrauch machen es ideal für tragbare Elektronik. Der MT29F1G08ABBFAM78A3WC1 ist in einem kompakten TSOP (dünnes kleines Umriss-Paket) verpackt, um eine einfache Integration in raumgebundene Designs zu gewährleisten. Mit robusten Fehlerkorrekturfunktionen und Ausdauer stellt dieser NAND-Flash-Speicher die Integrität und Zuverlässigkeit von Langzeitdaten sicher. Bitte klicken Sie auf "Anfrage senden", um weitere Diskussionen mit uns zu beginnen. Bis bald.

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Teil-Nr.	MT29F1G08ABBFAM78A3WC1
Hersteller	Micron Technology
Beschreibung	IC FLASH 1G PARALLEL WAFER
Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	6924 pcs
Datenblätte
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite	-
Spannungsversorgung	1.7 V ~ 1.95 V
Technologie	FLASH - NAND
Serie	-
Betriebstemperatur	0°C ~ 70°C (TA)
Speichertyp	Non-Volatile
Speichergröße	1Gb (128M x 8)
Speicherschnittstelle	Parallel
Speicherformat	FLASH
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung	FLASH - NAND Memory IC 1Gb (128M x 8) Parallel

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Ost, Luohu Bezirk, Shenzhen, China
Region: China.

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