Hersteller-Teilenummer. : | RS3L110ATTB1 |
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RoHS Status : | |
Hersteller / Marke : | LAPIS Semiconductor |
Zustand des Lagers : | 5429 pcs Stock |
Beschreibung : | PCH -60V -11A POWER MOSFET - RS3 |
Liefern von : | Hongkong |
Datenblätte : | |
Versandweg : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Teil-Nr. | RS3L110ATTB1 |
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Hersteller | LAPIS Semiconductor |
Beschreibung | PCH -60V -11A POWER MOSFET - RS3 |
Bleifreier Status / RoHS Status | |
Verfügbare Menge | 5429 pcs |
Datenblätte | |
VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 8-SOP |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.8mOhm @ 11A, 10V |
Verlustleistung (max) | 1.4W (Ta) |
Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6300 pF @ 30 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 115 nC @ 10 V |
Typ FET | P-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 11A (Ta) |
Grundproduktnummer | RS3L |
NCH 60V 14A POWER MOSFET: RS3L14
DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB
vorrätigDIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB
MOSFET N-CH 60V 4.5A 8SOP
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