Hersteller-Teilenummer. : | EMG4T2R | RoHS Status : | Bleifrei / RoHS-konform |
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Hersteller / Marke : | LAPIS Semiconductor | Zustand des Lagers : | 146782 pcs Stock |
Beschreibung : | TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5 | Liefern von : | Hongkong |
Datenblätte : | EMG4T2R(1).pdfEMG4T2R(2).pdf | Versandweg : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Teil-Nr. | EMG4T2R |
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Hersteller | LAPIS Semiconductor |
Beschreibung | TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5 |
Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Verfügbare Menge | 146782 pcs |
Datenblätte | EMG4T2R(1).pdfEMG4T2R(2).pdf |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 10mA |
Transistor-Typ | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Supplier Device-Gehäuse | EMT5 |
Serie | - |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | - |
Widerstand - Basis (R1) | 10 kOhms |
Leistung - max | 150mW |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | 6-SMD (5 Leads), Flat Lead |
Andere Namen | EMG4T2RTR |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 10 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang | 250MHz |
detaillierte Beschreibung | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT5 |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 100 @ 1mA, 5V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | - |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100mA |
Basisteilenummer | *MG4 |
TRANS 2NPN PREBIAS 0.23W SOT553
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
TRANS 2NPN PREBIAS 0.23W SOT553
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
TRANS 2NPN PREBIAS 0.23W SOT553
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
TRANS 2NPN PREBIAS 0.23W SOT553
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT3