Hersteller-Teilenummer. : | EMF17T2R | RoHS Status : | Bleifrei / RoHS-konform |
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Hersteller / Marke : | LAPIS Semiconductor | Zustand des Lagers : | 164195 pcs Stock |
Beschreibung : | TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W EMT6 | Liefern von : | Hongkong |
Datenblätte : | EMF17T2R.pdf | Versandweg : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Teil-Nr. | EMF17T2R |
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Hersteller | LAPIS Semiconductor |
Beschreibung | TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W EMT6 |
Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Verfügbare Menge | 164195 pcs |
Datenblätte | EMF17T2R.pdf |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA |
Transistor-Typ | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP |
Supplier Device-Gehäuse | EMT6 |
Serie | - |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 2.2 kOhms |
Widerstand - Basis (R1) | 2.2 kOhms |
Leistung - max | 150mW |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | SOT-563, SOT-666 |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang | 250MHz, 140MHz |
detaillierte Beschreibung | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V 100mA, 150mA 250MHz, 140MHz 150mW Surface Mount EMT6 |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 20 @ 20mA, 5V / 180 @ 1mA, 6V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100mA, 150mA |
TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT563
TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W EMT6
LPDDR3 SPECIAL/CUSTOM PLASTIC VF
TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT563
TRANS DUAL DTA143T/2SK2019 EMT6
IC SDRAM LPDDR3 8G NANA FBGA DDP
LPDDR3 SPECIAL/CUSTOM PLASTIC GR
TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W EMT6
TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT563
TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.5W SOT56