Hersteller-Teilenummer. : | EMD59T2R |
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RoHS Status : | Bleifrei / RoHS-konform |
Hersteller / Marke : | LAPIS Semiconductor |
Zustand des Lagers : | 3110 pcs Stock |
Beschreibung : | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6 |
Liefern von : | Hongkong |
Datenblätte : | EMD59T2R(1).pdfEMD59T2R(2).pdf |
Versandweg : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Teil-Nr. | EMD59T2R |
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Hersteller | LAPIS Semiconductor |
Beschreibung | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6 |
Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Verfügbare Menge | 3110 pcs |
Datenblätte | EMD59T2R(1).pdfEMD59T2R(2).pdf |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 5mA |
Transistor-Typ | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Supplier Device-Gehäuse | EMT6 |
Serie | - |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47 kOhms |
Widerstand - Basis (R1) | 10 kOhms |
Leistung - max | 150mW |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | SOT-563, SOT-666 |
Andere Namen | EMD59T2RTR |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 10 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang | 250MHz |
detaillierte Beschreibung | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6 |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 80 @ 5mA, 10V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100mA |
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6