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DTC113ZUAT106

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Hersteller-Teilenummer. : DTC113ZUAT106
RoHS Status : Bleifrei / RoHS-konform
Hersteller / Marke : LAPIS Semiconductor
Zustand des Lagers : 6250 pcs Stock
Beschreibung : TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
Liefern von : Hongkong
Datenblätte : DTC113ZUAT106(1).pdfDTC113ZUAT106(2).pdf
Versandweg : DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Teil-Nr. DTC113ZUAT106
Hersteller LAPIS Semiconductor
Beschreibung TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 6250 pcs
Datenblätte DTC113ZUAT106(1).pdfDTC113ZUAT106(2).pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse UMT3
Serie -
Widerstand - Emitterbasis (R2) 10 kOhms
Widerstand - Basis (R1) 1 kOhms
Leistung - max 200mW
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse SC-70, SOT-323
Andere Namen DTC113ZUAT106-ND
DTC113ZUAT106TR
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang 250MHz
detaillierte Beschreibung Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 33 @ 5mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA
Basisteilenummer DTC113
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Region: China.

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