ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biasedDTC024EEBTL
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DTC024EEBTL

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Hersteller-Teilenummer. : DTC024EEBTL
RoHS Status : Bleifrei / RoHS-konform
Hersteller / Marke : LAPIS Semiconductor
Zustand des Lagers : 3250 pcs Stock
Beschreibung : TRANS PREBIAS NPN 50V 0.15W SC89
Liefern von : Hongkong
Datenblätte : DTC024EEBTL(1).pdfDTC024EEBTL(2).pdf
Versandweg : DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Teil-Nr. DTC024EEBTL
Hersteller LAPIS Semiconductor
Beschreibung TRANS PREBIAS NPN 50V 0.15W SC89
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 3250 pcs
Datenblätte DTC024EEBTL(1).pdfDTC024EEBTL(2).pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 5mA
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse EMT3F (SOT-416FL)
Serie -
Widerstand - Emitterbasis (R2) 22 kOhms
Widerstand - Basis (R1) 22 kOhms
Leistung - max 150mW
Verpackung Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse SC-89, SOT-490
Andere Namen DTC024EEBTLDKR
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 40 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang 250MHz
detaillierte Beschreibung Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 30mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT3F (SOT-416FL)
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 60 @ 5mA, 10V
Strom - Collector Cutoff (Max) -
Strom - Kollektor (Ic) (max) 30mA
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Bankname: HSBC Bank (China) Unternehmen Limited
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Bank Adresse: 27 / f, China Ressourcen Gebäude, Nr.5001, Shennan Road
Ost, Luohu Bezirk, Shenzhen, China
Region: China.

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