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IRFU3710Z

Hersteller-Teilenummer. : IRFU3710Z RoHS Status : Enthält Blei / RoHS nicht konform
Hersteller / Marke : International Rectifier (Infineon Technologies) Zustand des Lagers : 5718 pcs Stock
Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 42A I-PAK Liefern von : Hongkong
Datenblätte : IRFU3710Z.pdf Versandweg : DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Produktdetails

Es ist von größter Bedeutung, eine zuverlässige Quelle für den PN IRFU3710Z zu finden. Zum Glück sind Sie an der richtigen Stelle gekommen. Sie erhalten alle Teile in einem neuen und ursprünglichen Zustand bei RX Electronics. Das IRFU3710Z von Infineon Technologies ist ein hochleistungsfähiger N-Channel-Leistungs-MOSFET. Dieses Gerät verfügt über einen niedrigen Widerstand des Zustands (RDS (ON)) von typischerweise 0,014 Ω bei VGS = 10 V, um minimale Leitungsverluste und eine verbesserte Systemeffizienz zu gewährleisten. Es befindet sich in einem kompakten TO-252 (DPAK) -Paket und unterstützt einen maximalen Abflussstrom von 28 A und eine Breakdown-Spannung (BVDSS) von 60 V, wodurch es ideal für Automobil-, Industrie- und Unterhaltungselektronik ist.

Mit seiner schnellen Schaltgeschwindigkeit und der niedrigen Gate-Ladung minimiert der IRFU3710Z die Schaltverluste und ermöglicht den hohen Frequenzbetrieb bei DC-DC-Wandlern, Motorsteuerungsschaltungen und Batteriemanagementsystemen. Das Gerät bietet auch robuste Lawinen- und Wärmeleistung, um einen zuverlässigen Betrieb unter vorübergehenden Bedingungen zu gewährleisten. Der Blei-freie Bau entspricht den Richtlinien von ROHS und unterstützt umweltfreundliche Designs. Insgesamt liefert der IRFU3710Z eine ausgezeichnete Stromdichte und Zuverlässigkeit, was es zu einer bevorzugten Wahl für die anspruchsvollen Anträge auf Strom-Switching macht. Erfordern Sie ein Angebot IRFU3710Z und hinterlassen Sie Ihre Nachricht unter info@rxelectronics.com.
Teil-Nr. IRFU3710Z
Hersteller International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreibung MOSFET N-CH 100V 42A I-PAK
Bleifreier Status / RoHS Status Enthält Blei / RoHS nicht konform
Verfügbare Menge 5718 pcs
Datenblätte IRFU3710Z.pdf
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse IPAK (TO-251)
Serie HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18 mOhm @ 33A, 10V
Verlustleistung (max) 140W (Tc)
Verpackung Tube
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Andere Namen *IRFU3710Z
SP001565168
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status Contains lead / RoHS non-compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2930pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100nC @ 10V
Typ FET N-Channel
FET-Merkmal -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V
detaillierte Beschreibung N-Channel 100V 42A (Tc) 140W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 42A (Tc)
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Region: China.

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