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BUZ31L

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Hersteller-Teilenummer. : BUZ31L
RoHS Status : Bleifrei / RoHS-konform
Hersteller / Marke : International Rectifier (Infineon Technologies)
Zustand des Lagers : 6028 pcs Stock
Beschreibung : MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220AB
Liefern von : Hongkong
Datenblätte : BUZ31L.pdf
Versandweg : DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Produktdetails

Es ist von größter Bedeutung, eine zuverlässige Quelle für das PN Buz31L zu finden. Zum Glück sind Sie an der richtigen Stelle gekommen. MOSFET für effiziente Stromschaltanwendungen ausgelegt. Dieses Gerät verfügt über einen niedrigen Widerstand des Zustands (RDS (ON)), der die Leitungsverluste minimiert und die Effizienz des Gesamtsystems verbessert. Es arbeitet mit Spannungen von bis zu 600 V und ist damit für Hochspannungsumgebungen geeignet. Der BUZ31L bietet auch schnelle Schaltgeschwindigkeiten, reduziert die Schaltverluste und verbessert die Leistung in hochfrequenten Anwendungen.

Sein robustes Design sorgt für eine hohe Zuverlässigkeit und Haltbarkeit unter harten Bedingungen mit eingebauten Schutzmechanismen gegen thermische Überlastung und Kurzstrecken. Dieses MOSFET ist besonders vorteilhaft in Anwendungen, die kompakte Konstruktionen aufgrund seines geringen Fußabdrucks und des effizienten thermischen Managements erfordern.

Zu den häufigen Anwendungen gehören Switch-Mode-Netzteile (SMPs), DC-DC-Wandler, Motorsteuerungssysteme und Automobilelektronik. Seine überlegenen elektrischen Eigenschaften und Zuverlässigkeit machen den BUZ31L zu einer ausgezeichneten Wahl für Designer, die hocheffiziente und hohe Zuverlässigkeitslösungen in der Stromversorgungselektronik suchen. Wenden Sie sich an unser Verkaufsteam unter info@rxelectronics.com, um weitere Informationen und Details zu erhalten. Wir sind jederzeit bei Ihrem Service!
Teil-Nr. BUZ31L
Hersteller International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreibung MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220AB
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 6028 pcs
Datenblätte BUZ31L.pdf
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Vgs (Max) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse PG-TO-220-3
Serie SIPMOS®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200 mOhm @ 7A, 5V
Verlustleistung (max) 95W (Tc)
Verpackung Tube
Verpackung / Gehäuse TO-220-3
Andere Namen BUZ31L-ND
BUZ31LIN
BUZ31LX
BUZ31LXK
SP000011342
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1600pF @ 25V
Typ FET N-Channel
FET-Merkmal -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200V
detaillierte Beschreibung N-Channel 200V 13.5A (Tc) 95W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 13.5A (Tc)
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Region: China.

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