Hersteller-Teilenummer. : | IXTU2N80P | RoHS Status : | Bleifrei / RoHS-konform |
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Hersteller / Marke : | IXYS Corporation | Zustand des Lagers : | 19604 pcs Stock |
Beschreibung : | MOSFET N-CH TO-251 | Liefern von : | Hongkong |
Datenblätte : | IXTU2N80P.pdf | Versandweg : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Teil-Nr. | IXTU2N80P |
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Hersteller | IXYS Corporation |
Beschreibung | MOSFET N-CH TO-251 |
Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Verfügbare Menge | 19604 pcs |
Datenblätte | IXTU2N80P.pdf |
VGS (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 50µA |
Vgs (Max) | ±30V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-251 |
Serie | PolarHV™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 Ohm @ 1A, 10V |
Verlustleistung (max) | 70W (Tc) |
Verpackung | Tube |
Verpackung / Gehäuse | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 440pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.6nC @ 10V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 800V |
detaillierte Beschreibung | N-Channel 800V 2A (Tc) 70W (Tc) Through Hole TO-251 |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 2A (Tc) |
MOSFET N-CH 60V 12A TO-252
MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-251
MOSFET N-CH 1000V 750MA TO-251
MOSFET N-CH 1500V 8A PLUS247
MOSFET N-CH 200V 16A TO-268
MOSFET N-CH 1000V 800MA DPAK
MOSFET N-CH 1200V 0.2A DPAK
MOSFET N-CH 250V 96A TO-3P
MOSFET N-CH 600V 18A PLUS220-SMD
MOSFET P-CH 100V 90A TO-268