Hersteller-Teilenummer. : | SIS454DN-T1-GE3 |
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RoHS Status : | Bleifrei / RoHS-konform |
Hersteller / Marke : | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Zustand des Lagers : | 380 pcs Stock |
Beschreibung : | MOSFET N-CH 20V 35A 1212-8 PPAK |
Liefern von : | Hongkong |
Datenblätte : | SIS454DN-T1-GE3.pdf |
Versandweg : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Teil-Nr. | SIS454DN-T1-GE3 |
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Hersteller | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Beschreibung | MOSFET N-CH 20V 35A 1212-8 PPAK |
Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Verfügbare Menge | 380 pcs |
Datenblätte | SIS454DN-T1-GE3.pdf |
VGS (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PowerPAK® 1212-8 |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.7 mOhm @ 20A, 10V |
Verlustleistung (max) | 3.8W (Ta), 52W (Tc) |
Verpackung | Cut Tape (CT) |
Verpackung / Gehäuse | PowerPAK® 1212-8 |
Andere Namen | SIS454DN-T1-GE3CT |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1900pF @ 10V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 53nC @ 10V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
detaillierte Beschreibung | N-Channel 20V 35A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 35A (Tc) |
MOSFET N-CH 80V 30A 1212-8
MOSFET P-CH 20V 18A POWERPAK1212
MOSFET N-CH 30V 40A 1212-8 PWR
MOSFET N-CH 12V 35A 1212-8 PPAK
MOSFET N-CH 30V 24A POWERPAK1212
MOSFET N-CH 30V 35A POWERPAK1212
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8
MOSFET P-CH 40V 35A PPAK 1212-8
MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8