Hersteller-Teilenummer. : | SIR770DP-T1-GE3 |
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RoHS Status : | Bleifrei / RoHS-konform |
Hersteller / Marke : | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Zustand des Lagers : | 356 pcs Stock |
Beschreibung : | MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8 |
Liefern von : | Hongkong |
Datenblätte : | SIR770DP-T1-GE3.pdf |
Versandweg : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Teil-Nr. | SIR770DP-T1-GE3 |
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Hersteller | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Beschreibung | MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8 |
Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Verfügbare Menge | 356 pcs |
Datenblätte | SIR770DP-T1-GE3.pdf |
VGS (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
Supplier Device-Gehäuse | PowerPAK® SO-8 Dual |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21 mOhm @ 8A, 10V |
Leistung - max | 17.8W |
Verpackung | Cut Tape (CT) |
Verpackung / Gehäuse | PowerPAK® SO-8 Dual |
Andere Namen | SIR770DP-T1-GE3CT |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 900pF @ 15V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 10V |
Typ FET | 2 N-Channel (Dual) |
FET-Merkmal | Logic Level Gate |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
detaillierte Beschreibung | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 17.8W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 8A |
MOSFET N-CH 100V 7.5A PPAK SO-8
MOSFET N-CH 80V 100A POWERPAKSO
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
MOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8
MOSFET N-CH 125V 60A POWERPAKSO
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
MOSFET N-CH 30V
MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8