Hersteller-Teilenummer. : | SI7540DP-T1-GE3 | RoHS Status : | Bleifrei / RoHS-konform |
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Hersteller / Marke : | Electro-Films (EFI) / Vishay | Zustand des Lagers : | 448 pcs Stock |
Beschreibung : | MOSFET N/P-CH 12V 7.6A PPAK SO-8 | Liefern von : | Hongkong |
Datenblätte : | SI7540DP-T1-GE3.pdf | Versandweg : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Teil-Nr. | SI7540DP-T1-GE3 |
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Hersteller | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Beschreibung | MOSFET N/P-CH 12V 7.6A PPAK SO-8 |
Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Verfügbare Menge | 448 pcs |
Datenblätte | SI7540DP-T1-GE3.pdf |
VGS (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Supplier Device-Gehäuse | PowerPAK® SO-8 Dual |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17 mOhm @ 11.8A, 4.5V |
Leistung - max | 1.4W |
Verpackung | Cut Tape (CT) |
Verpackung / Gehäuse | PowerPAK® SO-8 Dual |
Andere Namen | SI7540DP-T1-GE3CT |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 4.5V |
Typ FET | N and P-Channel |
FET-Merkmal | Logic Level Gate |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 12V |
detaillierte Beschreibung | Mosfet Array N and P-Channel 12V 7.6A, 5.7A 1.4W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 7.6A, 5.7A |
Basisteilenummer | SI7540 |
MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8S
MOSFET N/P-CH POWERPAK8
MOSFET N/P-CH 30V 5.4A 1212-8
MOSFET N/P-CH 60V 3A PPAK SO-8
MOSFET P-CH 20V 16A 1212-8
MOSFET N/P-CH 30V 5.4A 1212-8
MOSFET P-CH 40V 18A 1212-8
MOSFET P-CH 12V 13A PPAK SO-8
MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8 PPAK
MOSFET P-CH 20V 16A 1212-8