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SI5853DDC-T1-E3

Hersteller-Teilenummer. : SI5853DDC-T1-E3 RoHS Status : Bleifrei / RoHS-konform
Hersteller / Marke : Electro-Films (EFI) / Vishay Zustand des Lagers : 3263 pcs Stock
Beschreibung : MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8 Liefern von : Hongkong
Datenblätte : SI5853DDC-T1-E3.pdf Versandweg : DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Teil-Nr. SI5853DDC-T1-E3
Hersteller Electro-Films (EFI) / Vishay
Beschreibung MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 3263 pcs
Datenblätte SI5853DDC-T1-E3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Vgs (Max) ±8V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse 1206-8 ChipFET™
Serie LITTLE FOOT®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 105 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Verlustleistung (max) 1.3W (Ta), 3.1W (Tc)
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 8-SMD, Flat Lead
Andere Namen SI5853DDC-T1-E3TR
SI5853DDCT1E3
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 320pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 8V
Typ FET P-Channel
FET-Merkmal Schottky Diode (Isolated)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V
detaillierte Beschreibung P-Channel 20V 4A (Tc) 1.3W (Ta), 3.1W (Tc) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4A (Tc)
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Region: China.

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