Hersteller-Teilenummer. : | SI5853DDC-T1-E3 | RoHS Status : | Bleifrei / RoHS-konform |
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Hersteller / Marke : | Electro-Films (EFI) / Vishay | Zustand des Lagers : | 3263 pcs Stock |
Beschreibung : | MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8 | Liefern von : | Hongkong |
Datenblätte : | SI5853DDC-T1-E3.pdf | Versandweg : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Teil-Nr. | SI5853DDC-T1-E3 |
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Hersteller | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Beschreibung | MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8 |
Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Verfügbare Menge | 3263 pcs |
Datenblätte | SI5853DDC-T1-E3.pdf |
VGS (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±8V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 1206-8 ChipFET™ |
Serie | LITTLE FOOT® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105 mOhm @ 2.9A, 4.5V |
Verlustleistung (max) | 1.3W (Ta), 3.1W (Tc) |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | 8-SMD, Flat Lead |
Andere Namen | SI5853DDC-T1-E3TR SI5853DDCT1E3 |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 320pF @ 10V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 8V |
Typ FET | P-Channel |
FET-Merkmal | Schottky Diode (Isolated) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
detaillierte Beschreibung | P-Channel 20V 4A (Tc) 1.3W (Ta), 3.1W (Tc) Surface Mount 1206-8 ChipFET™ |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 4A (Tc) |
MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8
MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8
MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
KIT DEV SI570 I2C PROGR OSC
MOSFET N/P-CH 20V 4.4A 1206-8
MOSFET P-CH 20V 3.7A 1206-8
MOSFET N-CH 20V 4.4A 1206-8
MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8
MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8
MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET