Hersteller-Teilenummer. : | SI4942DY-T1-E3 |
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RoHS Status : | Bleifrei / RoHS-konform |
Hersteller / Marke : | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Zustand des Lagers : | 890 pcs Stock |
Beschreibung : | MOSFET 2N-CH 40V 5.3A 8-SOIC |
Liefern von : | Hongkong |
Datenblätte : | SI4942DY-T1-E3.pdf |
Versandweg : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Teil-Nr. | SI4942DY-T1-E3 |
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Hersteller | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Beschreibung | MOSFET 2N-CH 40V 5.3A 8-SOIC |
Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Verfügbare Menge | 890 pcs |
Datenblätte | SI4942DY-T1-E3.pdf |
VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Supplier Device-Gehäuse | 8-SO |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21 mOhm @ 7.4A, 10V |
Leistung - max | 1.1W |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Andere Namen | SI4942DY-T1-E3-ND SI4942DY-T1-E3TR SI4942DYT1E3 |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 10V |
Typ FET | 2 N-Channel (Dual) |
FET-Merkmal | Logic Level Gate |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40V |
detaillierte Beschreibung | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 5.3A 1.1W Surface Mount 8-SO |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 5.3A |
Basisteilenummer | SI4942 |
MOSFET 2P-CH 30V 10A 8-SOIC
MOSFET 2P-CH 20V 6.3A 8-SOIC
MOSFET 2N-CH 40V 4.2A 8-SOIC
MOSFET 2P-CH 20V 6.3A 8-SOIC
MOSFET 2N-CH 30V 9.3A 8-SOIC
MOSFET 2P-CH 20V 8A 8-SOIC
MOSFET 2N-CH 40V 4.2A 8-SOIC
MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8SO
MOSFET 2P-CH 20V 8A 8-SOIC
MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC