Hersteller-Teilenummer. : | SI4200DY-T1-GE3 | RoHS Status : | Bleifrei / RoHS-konform |
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Hersteller / Marke : | Electro-Films (EFI) / Vishay | Zustand des Lagers : | 66329 pcs Stock |
Beschreibung : | MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC | Liefern von : | Hongkong |
Datenblätte : | SI4200DY-T1-GE3.pdf | Versandweg : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Teil-Nr. | SI4200DY-T1-GE3 |
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Hersteller | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Beschreibung | MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC |
Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Verfügbare Menge | 66329 pcs |
Datenblätte | SI4200DY-T1-GE3.pdf |
VGS (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Supplier Device-Gehäuse | 8-SO |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 7.3A, 10V |
Leistung - max | 2.8W |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Andere Namen | SI4200DY-T1-GE3-ND SI4200DY-T1-GE3TR |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 415pF @ 13V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
Typ FET | 2 N-Channel (Dual) |
FET-Merkmal | Logic Level Gate |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 25V |
detaillierte Beschreibung | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 8A 2.8W Surface Mount 8-SO |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 8A |
MOSFET N-CH 100V 20A 8-SOIC
IC RF TXRX CELLULAR 32-VFQFN
IC RF TXRX CELLULAR 20-VFQFN
IC RF TXRX CELLULAR 32-VFQFN
IC RF TXRX CELLULAR 32-LFLGA
MOSFET 2N-CH 30V 12.1A 8SO
MOSFET N-CH 20V 8A 8SOIC
MOSFET 2N-CH 20V 19.8A 8-SOIC
IC RF TXRX CELLULAR 20-VFQFN
BOARD EVAL FOR SI4200