Hersteller-Teilenummer. : | AS4C8M16S-6TCN | RoHS Status : | Bleifrei / RoHS-konform |
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Hersteller / Marke : | Alliance Memory, Inc. | Zustand des Lagers : | 1130 pcs Stock |
Beschreibung : | IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP | Liefern von : | Hongkong |
Datenblätte : | AS4C8M16S-6TCN.pdf | Versandweg : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Teil-Nr. | AS4C8M16S-6TCN |
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Hersteller | Alliance Memory, Inc. |
Beschreibung | IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP |
Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Verfügbare Menge | 1130 pcs |
Datenblätte | AS4C8M16S-6TCN.pdf |
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | 2ns |
Spannungsversorgung | 3 V ~ 3.6 V |
Technologie | SDRAM |
Supplier Device-Gehäuse | 54-TSOP II |
Serie | - |
Verpackung | Tray |
Verpackung / Gehäuse | 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Andere Namen | 1450-1162 AS4C8M16S-6TCN-ND |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 3 (168 Hours) |
Speichertyp | Volatile |
Speichergröße | 128Mb (8M x 16) |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Speicherformat | DRAM |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
detaillierte Beschreibung | SDRAM Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 166MHz 5ns 54-TSOP II |
Uhrfrequenz | 166MHz |
Zugriffszeit | 5ns |
IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP
IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA
IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP
DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A
IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA
IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA
IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP
IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA
IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA