Hersteller-Teilenummer. : | AS4C64M8D2-25BIN |
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RoHS Status : | Bleifrei / RoHS-konform |
Hersteller / Marke : | Alliance Memory, Inc. |
Zustand des Lagers : | 823 pcs Stock |
Beschreibung : | IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA |
Liefern von : | Hongkong |
Datenblätte : | AS4C64M8D2-25BIN.pdf |
Versandweg : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Teil-Nr. | AS4C64M8D2-25BIN |
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Hersteller | Alliance Memory, Inc. |
Beschreibung | IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA |
Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Verfügbare Menge | 823 pcs |
Datenblätte | AS4C64M8D2-25BIN.pdf |
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | 15ns |
Spannungsversorgung | 1.7 V ~ 1.9 V |
Technologie | SDRAM - DDR2 |
Supplier Device-Gehäuse | 60-FBGA (8x10) |
Serie | - |
Verpackung | Tray |
Verpackung / Gehäuse | 60-TFBGA |
Andere Namen | 1450-1129 |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 3 (168 Hours) |
Speichertyp | Volatile |
Speichergröße | 512Mb (64M x 8) |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Speicherformat | DRAM |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 8 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
detaillierte Beschreibung | SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 400MHz 400ps 60-FBGA (8x10) |
Uhrfrequenz | 400MHz |
Zugriffszeit | 400ps |
IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA
IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP
IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP
IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP
IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA
IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA
IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP
IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA
DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A
IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA