ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNTB60N06L
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NTB60N06L

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Hersteller-Teilenummer. : NTB60N06L
RoHS Status : Enthält Blei / RoHS nicht konform
Hersteller / Marke : AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Zustand des Lagers : 4412 pcs Stock
Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
Liefern von : Hongkong
Datenblätte : NTB60N06L.pdf
Versandweg : DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Teil-Nr. NTB60N06L
Hersteller AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS Status Enthält Blei / RoHS nicht konform
Verfügbare Menge 4412 pcs
Datenblätte NTB60N06L.pdf
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Vgs (Max) ±15V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse D2PAK
Serie -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16 mOhm @ 30A, 5V
Verlustleistung (max) 2.4W (Ta), 150W (Tj)
Verpackung Tube
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status Contains lead / RoHS non-compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3075pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 65nC @ 5V
Typ FET N-Channel
FET-Merkmal -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V
detaillierte Beschreibung N-Channel 60V 60A (Ta) 2.4W (Ta), 150W (Tj) Surface Mount D2PAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 60A (Ta)
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Region: China.

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