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NSVBC124EDXV6T1G

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Hersteller-Teilenummer. : NSVBC124EDXV6T1G
RoHS Status : Bleifrei / RoHS-konform
Hersteller / Marke : AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Zustand des Lagers : 126903 pcs Stock
Beschreibung : TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Liefern von : Hongkong
Datenblätte : NSVBC124EDXV6T1G.pdf
Versandweg : DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Teil-Nr. NSVBC124EDXV6T1G
Hersteller AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 126903 pcs
Datenblätte NSVBC124EDXV6T1G.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor-Typ 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Supplier Device-Gehäuse SOT-563
Serie -
Widerstand - Emitterbasis (R2) 22 kOhms
Widerstand - Basis (R1) 22 kOhms
Leistung - max 500mW
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse SOT-563, SOT-666
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 5 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang -
detaillierte Beschreibung Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 60 @ 5mA, 10V
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA
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Bankname: HSBC Bank (China) Unternehmen Limited
Swift: HSBCCNSHSZN.
Bank Adresse: 27 / f, China Ressourcen Gebäude, Nr.5001, Shennan Road
Ost, Luohu Bezirk, Shenzhen, China
Region: China.

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