ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelMJD45H11TM
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MJD45H11TM

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Hersteller-Teilenummer. : MJD45H11TM
RoHS Status : Bleifrei / RoHS-konform
Hersteller / Marke : AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Zustand des Lagers : 1383 pcs Stock
Beschreibung : TRANS PNP 80V 8A DPAK
Liefern von : Hongkong
Datenblätte :
Versandweg : DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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As an efficient and experienced hybrid electronics distributor, our company, RX ELECTRONICS., offers a wide range of quality electronic components sourced directly from world-renowned manufacturers.The MJD45H11TM is an advanced bipolar power transistor manufactured by Fairchild Semiconductor, renowned for its high performance und Zuverlässigkeit. Dieser NPN -Transistor ist mit einer Silizium -Epitaxialstruktur ausgestattet, die eine verbesserte thermische Stabilität und eine verringerte Leistungsleckage bietet. Zu den wichtigsten Merkmalen gehören eine maximale Spannung von Kollektor zu Emitter von 100 V, einen maximalen Sammlerstrom von 1,1a und eine maximale Stromversorgung von 625 MW. Das Gerät weist schnelle Schaltgeschwindigkeiten und hohe Stromverstärker auf, was es ideal für die Verwendung in verschiedenen Leistungsverstärker- und Schaltanwendungen ist. Es wird üblicherweise in Schaltungen wie DC-DC-Wandlern, motorischen Steuerelementen und Audioverstärkern verwendet, bei denen ein effizientes Leistungsmanagement und eine robuste Leistung von entscheidender Bedeutung sind. Die überlegenen Eigenschaften des MJD45H11TM machen es zu einer bevorzugten Wahl für Ingenieure, die zuverlässige und effiziente Lösungen suchen. Bitte kontaktieren Sie unser Verkaufsteam oder senden Sie eine E -Mail an info@rxelectronics.com. Ich hoffe, wir können in Zukunft zusammenarbeiten.
Teil-Nr. MJD45H11TM
Hersteller AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung TRANS PNP 80V 8A DPAK
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 1383 pcs
Datenblätte
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 80V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1V @ 400mA, 8A
Transistor-Typ PNP
Supplier Device-Gehäuse TO-252-3
Serie -
Leistung - max 1.75W
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen MJD45H11TMTR
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 9 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang 40MHz
detaillierte Beschreibung Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 8A 40MHz 1.75W Surface Mount TO-252-3
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 40 @ 4A, 1V
Strom - Collector Cutoff (Max) 10µA
Strom - Kollektor (Ic) (max) 8A
Basisteilenummer MJD45H11
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