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FQP13N06

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Hersteller-Teilenummer. : FQP13N06
RoHS Status : Bleifrei / RoHS-konform
Hersteller / Marke : AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Zustand des Lagers : 4601 pcs Stock
Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 13A TO-220
Liefern von : Hongkong
Datenblätte : FQP13N06(1).pdfFQP13N06(2).pdf
Versandweg : DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Teil-Nr. FQP13N06
Hersteller AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung MOSFET N-CH 60V 13A TO-220
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 4601 pcs
Datenblätte FQP13N06(1).pdfFQP13N06(2).pdf
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3
Serie QFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 135 mOhm @ 6.5A, 10V
Verlustleistung (max) 45W (Tc)
Verpackung Tube
Verpackung / Gehäuse TO-220-3
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 310pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.5nC @ 10V
Typ FET N-Channel
FET-Merkmal -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V
detaillierte Beschreibung N-Channel 60V 13A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-220-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 13A (Tc)
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Bankname: HSBC Bank (China) Unternehmen Limited
Swift: HSBCCNSHSZN.
Bank Adresse: 27 / f, China Ressourcen Gebäude, Nr.5001, Shennan Road
Ost, Luohu Bezirk, Shenzhen, China
Region: China.

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