Hersteller-Teilenummer. : | FDS8882 |
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RoHS Status : | Bleifrei / RoHS-konform |
Hersteller / Marke : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Zustand des Lagers : | 2750 pcs Stock |
Beschreibung : | MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC |
Liefern von : | Hongkong |
Datenblätte : | FDS8882.pdf |
Versandweg : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Teil-Nr. | FDS8882 |
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Hersteller | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Beschreibung | MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC |
Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Verfügbare Menge | 2750 pcs |
Datenblätte | FDS8882.pdf |
VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 8-SO |
Serie | PowerTrench® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 9A, 10V |
Verlustleistung (max) | 2.5W (Ta) |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Andere Namen | FDS8882TR |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 26 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 940pF @ 15V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
detaillierte Beschreibung | N-Channel 30V 9A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 9A (Ta) |
MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC
MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8-SOIC
MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC
MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC
MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
MOSFET 2N-CH 100V 3.5A 8SOIC
MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
INTEGRATED CIRCUIT
MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC
MOSFET N-CH 30V 10.2A 8SOIC