Hersteller-Teilenummer. : | FDS2170N3 |
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RoHS Status : | Bleifrei / RoHS-konform |
Hersteller / Marke : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Zustand des Lagers : | 2249 pcs Stock |
Beschreibung : | MOSFET N-CH 200V 3A 8-SOIC |
Liefern von : | Hongkong |
Datenblätte : | FDS2170N3.pdf |
Versandweg : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Teil-Nr. | FDS2170N3 |
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Hersteller | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Beschreibung | MOSFET N-CH 200V 3A 8-SOIC |
Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Verfügbare Menge | 2249 pcs |
Datenblätte | FDS2170N3.pdf |
VGS (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 8-SOIC |
Serie | PowerTrench® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 128 mOhm @ 3A, 10V |
Verlustleistung (max) | 3W (Ta) |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Andere Namen | FDS2170N3_NL FDS2170N3_NLTR FDS2170N3_NLTR-ND FDS2170N3TR |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1292pF @ 100V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 10V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 200V |
detaillierte Beschreibung | N-Channel 200V 3A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount 8-SOIC |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 3A (Ta) |
MOSFET N-CH 200V 3A 8-SOIC
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-SOIC
MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-SOIC
MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-SOIC
MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SO
MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SO
N-CHANNEL POWER MOSFET