Hersteller-Teilenummer. : | FDC6506P |
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RoHS Status : | Bleifrei / RoHS-konform |
Hersteller / Marke : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Zustand des Lagers : | 352 pcs Stock |
Beschreibung : | MOSFET 2P-CH 30V 1.8A SSOT6 |
Liefern von : | Hongkong |
Datenblätte : | FDC6506P.pdf |
Versandweg : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Teil-Nr. | FDC6506P |
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Hersteller | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Beschreibung | MOSFET 2P-CH 30V 1.8A SSOT6 |
Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Verfügbare Menge | 352 pcs |
Datenblätte | FDC6506P.pdf |
VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Supplier Device-Gehäuse | SuperSOT™-6 |
Serie | PowerTrench® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170 mOhm @ 1.8A, 10V |
Leistung - max | 700mW |
Verpackung | Cut Tape (CT) |
Verpackung / Gehäuse | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Andere Namen | FDC6506PCT |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 42 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 190pF @ 15V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.5nC @ 10V |
Typ FET | 2 P-Channel (Dual) |
FET-Merkmal | Logic Level Gate |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
detaillierte Beschreibung | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 1.8A 700mW Surface Mount SuperSOT™-6 |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 1.8A |
MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-SSOT
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET
MOSFET P-CH 30V 3.6A SSOT-6
MOSFET N-CH 30V 5.5A SSOT-6
MOSFET N/P-CH 30V/12V SSOT-6
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
MOSFET N-CH 30V 5A SSOT-6
MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-SSOT