ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDB016N04AL7
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FDB016N04AL7

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Hersteller-Teilenummer. : FDB016N04AL7
RoHS Status : Bleifrei / RoHS-konform
Hersteller / Marke : AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Zustand des Lagers : 2650 pcs Stock
Beschreibung : MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK-7
Liefern von : Hongkong
Datenblätte : FDB016N04AL7.pdf
Versandweg : DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Teil-Nr. FDB016N04AL7
Hersteller AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK-7
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 2650 pcs
Datenblätte FDB016N04AL7.pdf
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263)
Serie PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6 mOhm @ 80A, 10V
Verlustleistung (max) 283W (Tc)
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Andere Namen FDB016N04AL7-ND
FDB016N04AL7TR
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 39 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 11600pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 167nC @ 10V
Typ FET N-Channel
FET-Merkmal -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40V
detaillierte Beschreibung N-Channel 40V 160A (Tc) 283W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 160A (Tc)
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Bankname: HSBC Bank (China) Unternehmen Limited
Swift: HSBCCNSHSZN.
Bank Adresse: 27 / f, China Ressourcen Gebäude, Nr.5001, Shennan Road
Ost, Luohu Bezirk, Shenzhen, China
Region: China.

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